|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Physical phenomena affecting performance and reliability of 4H–SiC bipolar junction transistors |
| Auteur: |
Muzykov, Peter G. Kennedy, Robert M. Zhang, Qingchun (Jon) Capell, Craig Burk, Al Agarwal, Anant Sudarshan, Tangali S. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 49 (2009) nr. 1 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |