|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
The abnormality in gate oxide failure induced by stress-enhanced diffusion of polycrystalline silicon |
| Auteur: |
Ahn, Yongseok Lee, Sanghyun Koh, Gwanhyeob Chung, Taeyoung Kim, Kinam |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 42 (2002) nr. 3 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |