|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Application of forward gated-diode R–G current method in extracting F–N stress-induced interface traps in SOI NMOSFETs |
| Auteur: |
He, Jin Zhang, Xing Huang, Ru Wang, Yang-yuan |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 42 (2002) nr. 1 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |