|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 11 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigations of impact ionization phenomena in advanced transistors and speed-power improvement of BiMOS SRAM cells based on reverse base current effect |
| Auteur: |
Bubennikov, Alexander N Zykov, Andrey V |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 41 (2001) nr. 2 pagina's 10 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 11 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |