Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 11 van 19 gevonden artikelen
 
 
  Investigations of impact ionization phenomena in advanced transistors and speed-power improvement of BiMOS SRAM cells based on reverse base current effect
 
 
Titel: Investigations of impact ionization phenomena in advanced transistors and speed-power improvement of BiMOS SRAM cells based on reverse base current effect
Auteur: Bubennikov, Alexander N
Zykov, Andrey V
Verschenen in: Microelectronics reliability
Paginering: Jaargang 41 (2001) nr. 2 pagina's 10 p.
Jaar: 2001
Inhoud:
Uitgever: Published by Elsevier B.V.
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 11 van 19 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland