|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Change in d.c. and 1/f noise characteristics of n-submicron MOSFETs due to hot-carrier degradation |
| Auteur: |
Vandamme, L.K.J. Li, X. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 38 (1998) nr. 1 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |