|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 189 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of the effects of mechanical stress on the properties of p-channel MOS structures. Part I. Choice of the theoretical model. The effect of stress on the valence band structure in silicon |
| Auteur: | |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 20 (1980) nr. 3 pagina's 1 p. |
| Jaar: |
1980 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 189 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |