|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Dependence between drain current saturation level and short-circuit robustness of p-GaN HEMTs |
| Auteur: |
Dedew, M.L. Lefebvre, S. Nguyen, T.A. Le, T.L. Rustichelli, V. Oliveira, J. Alam, M. Coccetti, F. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 171 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |