|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Analytical modeling of C V and I-V characteristics in p-GaN gate HEMTs based on the unified 2DEG density expression |
| Auteur: |
Zhang, Lili Yin, Yanan Qiu, Yiwu Wang, Tao Zhang, Pingwei Zhou, Xinjie |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 171 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |