|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 59 van 63 gevonden artikelen
| Titel: |
Threshold voltage hysteresis investigation of SiC MOSFETs with different structures under various measurement conditions |
| Auteur: |
Xie, Dong Heimler, Patrick Boldyrjew-Mast, Roman Alaluss, Mohamed Thiele, Sven Lutz, Josef Basler, Thomas |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 168 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 59 van 63 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |