|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 56 van 63 gevonden artikelen
| Titel: |
The behaviour of 350 V GaN HEMTs during heavy ion irradiations |
| Auteur: |
Velardi, F. Canale Parola, G. Palazzo, S. Martano, E. Sanseverino, A. Silvestrin, L. Abbate, C. Busatto, G. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 168 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 56 van 63 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |