Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 15 van 18 gevonden artikelen
 
 
  The evolution of defects in n-type 4H-SiC Schottky barrier diode irradiated with swift heavy ion using the Deep Level Transient Spectroscopy
 
 
Titel: The evolution of defects in n-type 4H-SiC Schottky barrier diode irradiated with swift heavy ion using the Deep Level Transient Spectroscopy
Auteur: Yang, Zhimei
Li, Yun
Huang, Mingmin
Gong, Min
Ma, Yao
Verschenen in: Microelectronics reliability
Paginering: Jaargang 163 () nr. C pagina's p.
Jaar: 2024
Inhoud:
Uitgever: Elsevier Ltd
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 15 van 18 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland