|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
The evolution of defects in n-type 4H-SiC Schottky barrier diode irradiated with swift heavy ion using the Deep Level Transient Spectroscopy |
| Auteur: |
Yang, Zhimei Li, Yun Huang, Mingmin Gong, Min Ma, Yao |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 163 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |