|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
Field-plated and back-barrier engineered wide-bandgap III-nitride/β-Ga2O3 nano-HEMT for emerging RF/microwave micro/nanoelectronics applications |
| Auteur: |
Rao, G. Purnachandra Lenka, Trupti Ranjan Nguyen, Hieu Pham Trung |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 155 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |