|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
Enhanced gate biasing resilience in asymmetric and double trench SiC MOSFETs towards generalized highly reliable power electronics |
| Auteur: |
Wang, Dandan Zhang, Yifan Wang, Ruolan Tang, Ruifeng Wang, Kuan Wang, Di Liu, Long Yan, Feng Zhang, Songsong Shen, Andy Mai, Zhihong Xing, Guozhong |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 154 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |