|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 34 gevonden artikelen
| Titel: |
Gate-switching-stress test: Electrical parameter stability of SiC MOSFETs in switching operation |
| Auteur: |
Salmen, P. Feil, M.W. Waschneck, K. Reisinger, H. Rescher, G. Voss, I. Sievers, M. Aichinger, T. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 135 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 34 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |