|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 60 van 111 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of phosphorus diffusion on the SiO2/4H-SiC (0001) interface during poly gate formation process |
| Auteur: |
Wan, Caiping Zhang, Yuanhao Lu, Wenhao Ge, Niannian Xu, Hengyu Ye, Tianchun |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 126 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 60 van 111 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |