|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 20 van 111 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparison of the instability in device characteristics for thin-film SOI power n- and p-MOSFETs at high temperature under AC stress |
| Auteur: |
Yamanishi, Riki Matsumoto, Satoshi |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 126 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 20 van 111 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |