|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 32 van 32 gevonden artikelen
| Titel: |
1200V 4H-SiC trench MOSFET with superior figure of merit and suppressed quasi-saturation effect |
| Auteur: |
Fu, Hao Wei, Zhaoxiang Liu, Siyang Wei, Jiaxing Xu, Hang Ni, Lihua Yang, Zhuo Sun, Weifeng |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 123 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 32 van 32 gevonden artikelen
| << vorige |