|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 175 gevonden artikelen
| Titel: |
Accumulative total ionizing dose (TID) and transient dose rate (TDR) effects on planar and vertical ferroelectric tunneling-field-effect-transistors (TFET) |
| Auteur: |
Yan, Gangping Xu, Gaobo Bi, Jinshun Tian, Guoliang Xu, Qiuxia Yin, Huaxiang Li, Yongliang |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 114 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 175 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |