|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 158 van 175 gevonden artikelen
| Titel: |
Single event upset for monolithic 3-D integrated 6T SRAM based on a 22 nm FD-SOI technology: Effects of channel size and temperature |
| Auteur: |
Zhang, Junjun Liu, Fanyu Li, Bo Li, Binhong Huang, Yang Yang, Can Wang, Guoqing Wang, Rongwei Luo, Jiajun Han, Zhengsheng |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 114 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 158 van 175 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |