|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Comparison of holes trapping and protons transport induced by low dose rate gamma radiation in oxide on different SiGe processes |
| Auteur: |
Li, Pei He, ChaoHui Guo, HongXia Zhang, JinXin Li, YongHong Wei, JiaNan |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 103 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2019 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |