|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 95 van 190 gevonden artikelen
| Titel: |
Influence of the SiO2 layer thickness on the degradation of HfO2/SiO2 stacks subjected to static and dynamic stress conditions |
| Auteur: |
Amat, E. Rodríguez, R. Nafría, M. Aymerich, X. Stathis, J.H. |
| Verschenen in: |
Microelectronics reliability |
| Paginering: | Jaargang 47 (2007) nr. 4-5 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2007 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 95 van 190 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |