|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth and characterization of UTC photo-diodes containing GaAs1− x Bi x absorber layer |
| Auteur: |
Geižutis, Andrejus Pačebutas, Vaidas Butkutė, Renata Svidovsky, Polina Strazdienė, Viktorija Krotkus, Arūnas |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 99 (2014) nr. C pagina's 3 p. |
| Jaar: |
2014 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |