|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 17 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Substrate dependent mobility and strain effects for silicon and SiGe transistor channels with HKMG first stacks |
| Auteur: |
Flachowsky, S. Herrmann, T. Höntschel, J. Illgen, R. Ong, S.Y. Wiatr, M. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 88 (2013) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 17 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |