|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of anisotropic strain relaxation after isolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NA and oil-immersion Raman method |
| Auteur: |
Usuda, Koji Tezuka, Tsutomu Kosemura, Daisuke Tomita, Motohiro Ogura, Atsushi |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 83 (2013) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |