|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Statistical device simulation of physical and electrical characteristic fluctuations in 16-nm-gate high-κ/metal gate MOSFETs in the presence of random discrete dopants and random interface traps |
| Auteur: |
Li, Yiming Cheng, Hui-Wen |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 77 (2012) nr. C pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |