|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 25 gevonden artikelen
| Titel: |
A formula for the central potential’s maximum magnitude in arbitrarily doped symmetric double-gate MOSFETs |
| Auteur: |
García-Sánchez, Francisco J. Ortiz-Conde, Adelmo |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 76 (2012) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 25 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |