|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
GIDL behavior of p- and n-MuGFET devices with different TiN metal gate thickness and high-k gate dielectrics |
| Auteur: |
Galeti, M. Rodrigues, M. Martino, J.A. Collaert, N. Simoen, E. Claeys, C. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 70 (2012) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |