|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
3D ‘atomistic’ simulations of dopant induced variability in nanoscale implant free In0.75Ga0.25As MOSFETs |
| Auteur: |
Seoane, N. Aldegunde, M. Garcı´a-Loureiro, A. Valin, R. Kalna, K. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 69 (2012) nr. C pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |