|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
Fabrication of high-Ge-fraction strained Si1− x Ge x /Si hole resonant tunneling diode using low-temperature Si2H6 reaction for nanometer-order ultrathin Si barriers |
| Auteur: |
Takahashi, Kuniaki Sakuraba, Masao Murota, Junichi |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 60 (2011) nr. 1 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |