|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 27 gevonden artikelen
| Titel: |
Fabrication of Ge-MOS capacitors with high quality interface by ultra-thin SiO2/GeO2 bi-layer passivation combined with the subsequent SiO2-depositions using magnetron sputtering |
| Auteur: |
Hirayama, Kana Yoshino, Keisuke Ueno, Ryuji Iwamura, Yoshiaki Yang, Haigui Wang, Dong Nakashima, Hiroshi |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 60 (2011) nr. 1 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2011 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 27 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |