|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 13 gevonden artikelen
| Titel: |
Al0.2Ga0.8As/In0.15Ga0.85As MOSPHEMT with low temperature LPD-deposited Al2O3 as gate dielectric |
| Auteur: |
Basu, Sarbani Singh, Pramod K. Sze, Po-Wen Wang, Yeong-Her |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 54 (2010) nr. 8 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 13 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |