|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 43 gevonden artikelen
| Titel: |
Proximity effects of beryllium-doped GaN buffer layers on the electronic properties of epitaxial AlGaN/GaN heterostructures |
| Auteur: |
Storm, D.F. Katzer, D.S. Deen, D.A. Bass, R. Meyer, D.J. Roussos, J.A. Binari, S.C. Paskova, T. Preble, E.A. Evans, K.R. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 54 (2010) nr. 11 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 43 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |