|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 32 gevonden artikelen
| Titel: |
Analytical modeling of the gate tunneling leakage for the determination of adequate high-k dielectrics in double-gate SOI MOSFETs at the 22nm node |
| Auteur: |
Darbandy, Ghader Ritzenthaler, Romain Lime, Francois Garduño, Ivan Estrada, Magali Cerdeira, Antonio Iñiguez, Benjamin |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 54 (2010) nr. 10 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 32 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |