|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of STI-induced mechanical stress-related Kink effect of 40nm PD SOI NMOS devices biased in saturation region |
| Auteur: |
Lin, I.S. Su, V.C. Kuo, J.B. Chen, D. Yeh, C.S. Tsai, C.T. Ma, M. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 52 (2008) nr. 12 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2008 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |