|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 21 gevonden artikelen
| Titel: |
A novel In x Ga1−x N/InN heterostructure field-effect transistor with extremely high two-dimensional electron-gas sheet density |
| Auteur: |
Kong, Y.C. Zheng, Y.D. Zhou, C.H. Deng, Y.Z. Shen, B. Gu, S.L. Zhang, R. Han, P. Jiang, R.L. Shi, Y. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 49 (2005) nr. 2 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2005 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 21 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |