|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
A model for the channel potential of charge-trapping memories and its implications for device scaling |
| Auteur: |
Sadd, M. Anderson, S.G.H. Hradsky, B. Muralidhar, R. Prinz, E.J. Rao, R. Straub, S. Steimle, R.F. Swift, C.T. White, B.E. Yater, J.A. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 49 (2005) nr. 11 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2005 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |