|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 17 gevonden artikelen
| Titel: |
Atomic-scale modeling of double-gate MOSFETs using a tight-binding Green’s function formalism |
| Auteur: |
Bescond, M. Autran, J.L. Munteanu, D. Lannoo, M. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 48 (2004) nr. 4 pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2004 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 17 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |