|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of PECVD of SiO2 passivation layers on GaN and InGaP |
| Auteur: |
Baik, K.H. Park, P.Y. Luo, B. Lee, K.P. Shin, J.H. Abernathy, C.R. Hobson, W.S. Pearton, S.J. Ren, F. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 45 (2001) nr. 12 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |