|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 19 gevonden artikelen
| Titel: |
Measurement and simulation of boron diffusion in strained Si1−x Ge x epitaxial layers with a linearly graded germanium profile |
| Auteur: |
Rajendran, K. Schoenmaker, W. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 45 (2001) nr. 11 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 19 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |