Digitale Bibliotheek
Sluiten Bladeren door artikelen uit een tijdschrift
 
<< vorige    volgende >>
     Tijdschrift beschrijving
       Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
         Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
           Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
                                       Details van artikel 6 van 24 gevonden artikelen
 
 
  A physics-based electron gate current model for fully depleted SOI MOSFETs
 
 
Titel: A physics-based electron gate current model for fully depleted SOI MOSFETs
Auteur: Sheu, Chorng-Jye
Jang, Sheng-Lyang
Verschenen in: Solid-state electronics
Paginering: Jaargang 44 (2000) nr. 10 pagina's 8 p.
Jaar: 2000
Inhoud:
Uitgever: Elsevier Science Ltd
Bronbestand: Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
 
 

                             Details van artikel 6 van 24 gevonden artikelen
 
<< vorige    volgende >>
 
 Koninklijke Bibliotheek - Nationale Bibliotheek van Nederland