|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 31 gevonden artikelen
| Titel: |
Demonstration of GaN MIS diodes by using AlN and Ga2O3(Gd2O3) as dielectrics |
| Auteur: |
Ren, F Abernathy, C.R MacKenzie, J.D Gila, B.P Pearton, S.J Hong, M Marcus, M.A Schurman, M.J Baca, A.G Shul, R.J |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 42 (1998) nr. 12 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1998 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 31 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |