|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12 van 47 gevonden artikelen
| Titel: |
Fabrication of p +-gate InAs-channel HEMT based on InP |
| Auteur: |
Koizumi, Ryoji Saitoh, Toshiya Yoh, Kanji |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 41 (1997) nr. 10 pagina's 3 p. |
| Jaar: |
1997 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12 van 47 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |