|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 11 gevonden artikelen
| Titel: |
Bias dependent physics-based model of low-frequency noise for nanowire type gate-all-around MOSFETs |
| Auteur: |
Yi, Boram Yang, Geun Soo Barraud, Sylvain Bervard, Laurent Lee, Jae Woo Yang, Ji-Woon |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 189 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 11 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |