|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 31 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
Technology of sub-100 nm InAlN/GaN HEMTs on silicon with suppressed leakage current |
| Auteur: |
Cui, Peng Zeng, Yuping |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 185 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 31 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |