|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 30 van 35 gevonden artikelen
| Titel: |
TCAD modeling of bias temperature instabilities in SiC MOSFETs |
| Auteur: |
Carangelo, G. Reggiani, S. Consentino, G. Crupi, F. Meneghesso, G. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 185 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
The Authors |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 30 van 35 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |