|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8 van 26 gevonden artikelen
| Titel: |
Flat-band voltage shift of 4H-SiC MOS capacitors induced by interface dipole layer formation at the oxide-semiconductor and oxide-oxide interfaces |
| Auteur: |
Kil, Tae-Hyeon Noguchi, Munetaka Watanabe, Hiroshi Kita, Koji |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 183 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2021 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8 van 26 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |