|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 10 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
Electron mobility of strained InGaAs long-channel MOSFETs: From scattering rates to TCAD model |
| Auteur: |
Carapezzi, Stefania Reggiani, Susanna Gnani, Elena Gnudi, Antonio |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 172 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 10 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |