|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 14 van 22 gevonden artikelen
| Titel: |
Impact of the transition region between active area and edge termination on electrical performance of SiC MOSFET |
| Auteur: |
Liu, Shaoyu Cheng, Xinhong Zheng, Li Sledziewski, Tomasz Erlbacher, Tobias Sheng, Lingyan Yu, Yuehui |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 171 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 14 van 22 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |