|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 20 gevonden artikelen
| Titel: |
Capacitance-voltage technique for characterization of lateral trap locations along the channel in low-temperature poly-silicon thin film transistors |
| Auteur: |
Yoo, Han Bin Kim, Junyeap Yu, Jintae Kim, Hyo-Jin Choi, Sung-Jin Kim, Dae Hwan Kim, Dong Myong |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 163 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 20 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |