|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 34 gevonden artikelen
| Titel: |
Analyses of transient capacitance experiments for AuGaAs Schottky barrier diodes in the presence of deep impurities and the interfacial layer |
| Auteur: |
Huang, Chern I. Li, Sheng S. |
| Verschenen in: |
Solid-state electronics |
| Paginering: | Jaargang 16 (1973) nr. 12 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
1973 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 34 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |